射频硅场效应晶体管在现代通信领域中发挥着关键作用。本文将详细介绍 Semelab 公司生产的一系列 RF Silicon FET 产品，包括其共同特点、不同型号的具体参数、应用领域以及使用注意事项等。


一、产品概述


    Semelab 公司的 RF Silicon FET 产品系列包括 D2225UK、D1014UK、D1020UK、D1023UK、D2001UK、D2205UK 和 D2213UK 等型号。这些产品均采用金属栅极技术，符合 ROHS 标准，适用于多种高频通信应用。


二、共同特点


  1. 设计优势
    • 简化放大器设计，降低设计复杂性，便于系统集成。
    • 适用于宽带应用，可在较宽的频率范围内稳定工作。
  2. 性能特点
    • 具有低噪声特性，有助于提高信号质量。
    • 高增益，不同型号增益最小值有所差异，如 D1014UK 最小增益为 12dB，D1023UK 最小增益可达 16dB。
    • 反向传输电容（）低，可减少信号反馈，提高放大器稳定性。
  3. 工作条件
    • 工作温度范围为 -65°C 至 150°C，存储温度范围为 -65°C 至 150°C，能适应多种环境条件。
    • 不同型号的漏极 - 源极击穿电压（）、栅极 - 源极击穿电压（）和最大漏极电流（）等参数有所不同，可满足不同功率需求。


三、不同型号参数对比


  1. 功率与频率
    • D2225UK 为 5W - 12.5V - 1GHz 推挽式；D1014UK 为 40W - 28V - 500MHz 单端式；D1020UK 为 150W - 28V - 400MHz 推挽式；D1023UK 为 60W - 28V - 175MHz 单端式；D2001UK 为 2.5W - 28V - 1GHz 单端式；D2205UK 为 7.5W - 12.5V - 1GHz 单端式；D2213UK 为 20W - 12.5V - 1GHz 推挽式。
  2. 电气特性
    • 以典型的共源极功率增益（）为例，D1014UK 在输出功率（）为 40W 时，最小值为 12dB；D1020UK 在为 150W 时，最小值为 10dB；D1023UK 在为 60W 时，最小值为 16dB 等。各型号在输入电容（）、输出电容（）和反向传输电容（）等参数上也存在差异。
  3. 热性能
    • 热阻（）不同，如 D1014UK 最大热阻为 2.0°C/W，D1020UK 最大热阻为 0.45°C/W，D2213UK 最大热阻为 2.1°C/W 等，反映了不同型号在散热性能上的区别。


四、应用领域


    这些 RF Silicon FET 产品广泛应用于 HF/VHF/UHF 通信领域，频率范围覆盖 1MHz 至 2GHz。具体应用包括但不限于无线通信系统中的功率放大器、信号传输与处理等环节。


五、使用注意事项


  1. 部分产品的陶瓷部分含有氧化铍，其粉尘具有高毒性。在处理和安装过程中必须小心，避免损坏该区域，且不得将这些设备与普通工业或生活垃圾一起丢弃。
  2. Semelab 公司保留更改测试条件、参数限制和封装尺寸的权利，客户在订购前应核实产品规格的时效性。

    Semelab 公司的 RF Silicon FET 产品系列凭借其多样化的型号、优异的性能特点，在高频通信领域为工程师提供了丰富的选择，能够满足不同应用场景的需求。